Our Products

Category: Gallium Nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMT)

Partner/Manufacturer

Partner/Manufacturer

Blocking Voltage

Blocking Voltage
  • 1200V (32)
  • 650V (21)
  • 900V (8)
  • 1000V (4)
  • 1700V (4)

Current Rating

Current Rating
  • 22A (7)
  • 32A (5)
  • 17A (4)
  • 35A (4)
  • 49A (3)
  • 63A (3)
  • 100A (2)
  • 115A (2)
  • 120A (2)
  • 21A (2)

RDS(ON) at 25°C

RDS(ON) at 25°C
  • 120Ω (9)
  • 45Ω (8)
  • 75Ω (7)
  • 60Ω (6)
  • 160Ω (5)
  • 40Ω (5)
  • 21Ω (4)
  • 25Ω (4)
  • 65Ω (4)
  • 16Ω (3)

Package Type

Package Type
  • TO-247-3 (23)
  • TO-247-4 (20)
  • TO-263-7 (15)
  • TOLL (4)
  • TO-243-3 (2)
  • TO-247-4 Plus package (2)
  • TO-243-4 (1)
  • TO247-3 (1)
  • TO263-7 (1)
Back to Power Management

Gallium Nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMT)

Please enter one ore more search terms.
crossmenu linkedin facebook pinterest youtube rss twitter instagram facebook-blank rss-blank linkedin-blank pinterest youtube twitter instagram